半导体设备是集成电路和泛半导体微观器件产业的基石，而集成电路和泛半导体微观器件，又是数码时代的基础。半导体设备微观加工的能力是数码产业发展最卡脖子的关键，“半导体行业的未来，制造设备是关键”，没有能加工微米和纳米尺度的光刻机、等离子体刻蚀机和薄膜沉积等设备，就不可能制造出集成电路和微观器件。随着微观器件越做越小，结构越做越复杂，半导体设备的极端重要性更加凸显出来。一个国家要成为数码时代的强国，至关重要的是要成为半导体微观加工设备的强国。

　　近年来数码产业蓬勃发展，已成为国民经济发展的重要引擎。随着数码产业的发展，全球半导体芯片和晶圆制造领域的持续投资，促进了半导体设备行业的快速发展。数码产业占全球企业总产值40%以上，而且在不断增长，和传统工业已经成为国民经济的两大支柱，数码产业的发展正在彻底改变人类的生产方式和生活方式。半导体微观加工设备是发展集成电路和数码产业的关键，已成为人们最关注的硬科技产业之一。

　　中国的集成电路和泛半导体产业近年来持续兴旺。在政府的大力推动和业界的努力下，虽然在半导体设备的门类、性能和大规模量产能力等方面，国产设备和国外设备相比还有一定的差距，但发展迅速并已初具规模，中国半导体设备市场规模在全球的占比逐年提升。

　　中微公司的主营产品等离子体刻蚀设备是除光刻机以外最关键的微观加工设备，是制程步骤最多、工艺过程开发难度最高的设备。微观器件的不断缩小推动了器件结构和加工制成的性变化。存储器件内部架构从2D到3D的转换，使等离子体刻蚀和薄膜制程成为最关键的步骤，对这两类设备的需求量大大增加。光刻机由于波长的限制，先进的微观结构要靠等离子体刻蚀和薄膜的组合“二重模板”和“四重模板”工艺技术来加工，刻蚀机和薄膜设备的重要性不断提高，这给主要提供刻蚀机和薄膜设备的中微公司带来了高速成长机会。

　　受益于公司完整的单台和双台刻蚀设备布局、核心技术持续突破、产品升级快速迭代、刻蚀应用覆盖丰富等优势，2023年公司CCP和ICP刻蚀设备均在国内主要客户芯片生产线上市占率大幅提升；公司的TSV硅通孔刻蚀设备也越来越多地应用在先进封装和MEMS器件生产。公司布局的薄膜设备（主要是化学薄膜和外延设备）是除光刻机和刻蚀机外第三大设备市场。公司近两年新开发的LPCVD设备和ALD设备，目前已有四款设备产品进入市场，其中三款设备已获得客户认证，并开始得到重复性订单，公司计划在2024年推出超过10款新型薄膜沉积设备，在薄膜沉积领域快速扩大产品覆盖度；公司新开发的硅和锗硅外延EPI设备、晶圆边缘Beve刻蚀设备等多个新产品，也计划在2024年投入市场验证。此外，中微公司通过投资布局了第四大设备市场——光学检测设备。

　　近年来泛半导体产业的发展也非常迅猛。三五族化合物半导体器件，如照明和显示屏所用的LED、氮化镓和碳化硅功率器件等市场发展极快。这些器件所需的MOCVD设备是最重要的关键设备。与集成电路需要较多品类设备多步循环的制造工艺不同，制造三五族化合物器件主要靠MOCVD设备实现，而且这个设备的大部分市场在中国。近年来，中国LED芯片产业的快速发展曾带动了作为产业核心设备的MOCVD设备需求量的快速增长。公司的MOCVD设备已经在蓝绿光LED生产线上占据绝对领先的市占率，报告期内，受终端市场波动影响，公司的MOCVD设备销售额有所下滑。

　　公司继续瞄准世界科技前沿，持续践行三维发展战略，深耕集成电路关键设备领域、扩展在泛半导体关键设备领域应用并探索其他新兴领域的机会，推进公司实现高速、稳定、安全发展。公司坚持以市场和客户需求为导向，积极应对复杂形势，继续加大研发投入和业务开拓力度，推动以研发创新为驱动的高质量增长策略，抓住重点客户扩产投资机会，推进订制化精细化生产经营，公司在刻蚀设备、MOCVD设备等设备产品研发、市场布局、新业务投资拓展等诸多方面取得了较大的突破和进展，产品不断获得海内外客户的认可，为公司持续健康发展提供了有力支撑。

　　公司同时兼顾外延性发展，在聚焦公司核心业务集成电路设备的同时积极探索布局其他新业绩增长点，子公司中微惠创、中微汇链、芯汇康及公司参与投资的诸多公司在各自细分领域取得了卓有成效的进展。

　　此外，为扩充资产规模、增强公司实力以持续做大做强主业，公司产业化建设项目正在顺利推进中。在南昌的约14万平方米的生产和研发基地已于2023年7月投入使用；公司在上海临港600848）的约18万平方米的生产和研发基地部分生产厂房及成品仓库已经于2023年10月投入使用；上海临港滴水湖畔约10万平方米的研发中心暨总部大楼也将封顶，为今后的大发展夯实基础。

　　报告期内公司持续提升综合竞争力，在技术进步、业务发展、业绩增长、规范治理等方面不断向国际先进水平的方向努力，实现公司高速、稳定、健康、安全发展。

　　公司坚持自主创新，产品布局及技术研发面向世界科技前沿。报告期内，公司继续保持较高的研发投入，与国内外一流客户保持紧密合作，相关设备产品研发进展顺利、客户端验证情况良好。2023年公司研发投入为12.62亿元，相较去年同期增长35.89%，占收入比例为20.15%。

　　报告期内，公司发挥产品技术及销售服务竞争优势，不断强化公司技术和品牌优势，持续深化同海内外客户的业务合作，以更好的市场形象和更专业的服务为客户提供产品解决方案。在持续改善量产机台的运行时间和生产效率的同时，研发团队和客户紧密合作，进行更多的关键制程的工艺开发和验证，进一步提高产品的技术先进性和市场竞争力，以拓宽机台的生产能力并赢得更多的制程量产机会。

　　公司已有的刻蚀产品已经对28纳米以上的绝大部分CCP刻蚀应用和28纳米及以下的大部分CCP刻蚀应用形成较为全面的覆盖。针对28纳米及以下的逻辑器件生产中广泛采用的一体化大马士革刻蚀工艺，公司开发的可调节电极间距的CCP刻蚀机PrimoSD-RIE已进入国内领先的逻辑芯片制造客户开展现场验证，目前进展顺利。同时公司也与其他多家逻辑芯片制造客户达成现场评估意向。该设备采用双反应台平台设计，在满足严苛工艺指标的同时可以有效的降低生产成本。PrimoSD-RIE具有实时可调电极间距功能，可以在同一刻蚀工艺的不同步骤使用不同的电极间距，能灵活调节等离子体浓度分布和活性自由基浓度分布，有效地应对一体化大马士革刻蚀工艺中要求的在同一刻蚀工艺中达到最优的沟槽和通孔刻蚀均匀性的问题，极大拓宽一体化刻蚀工艺的工艺窗口。

　　在存储器件制造工艺中，公司的成熟产品可以覆盖存储器件制造中的绝大部分应用。同时，公司针对超高深宽比刻蚀自主开发的具有大功率400kHz偏压射频的PrimoUD-RIE已经在生产线深宽比结构的能力，该设备适用于DRAM和3DNAND器件制造中最关键的高深宽比刻蚀工艺。同时，公司积极布局超低温刻蚀技术，以满足超高深宽比刻蚀技术迭代的需求。

　　报告期内，公司的ICP刻蚀设备在涵盖逻辑、DRAM、3DNAND、功率和电源管理、以及微电机系统等芯片和器件的50多个客户的生产线上量产，并持续进行更多刻蚀应用的验证。ICP刻蚀设备中的PrimoNanova系列产品在客户端安装腔体数近三年实现>

　　100%的年均复合增长。

　　报告期内，公司推出了适用于更高深宽比结构刻蚀的NanovaVEHP和兼顾深宽比和均匀性的NanovaLUX两种ICP设备，极大地扩展了ICP刻蚀设备的验证工艺范围，在先进逻辑芯片、先进DRAM和3DNAND的ICP验证刻蚀工艺覆盖率有望大幅提升。NanovaVEHP在DRAM中的高深款比的多晶硅掩膜应用上，在客户的产线上认证成功，已获得批量重复订单。NanovaLUX也已付运至多个客户的产线上开始认证。PrimoTwin-Star则在海内外客户的逻辑芯片、功率器件、微型发光二极管Micro-LED、AR和VR智能眼镜用的超透镜（Metaens）等特色器件的产线上实现量产，并取得重复订单。

　　报告期内，公司ICP技术设备类中的8英寸和12英寸深硅刻蚀设备PrimoTSV200E、PrimoTSV300E在晶圆级先进封装、2.5D封装和微机电系统芯片生产线等成熟市场继续获得重复订单的同时，在12英寸的3D芯片的硅通孔刻蚀工艺上得到成功验证，并在欧洲客户12英寸微机电系统芯片产线上获得认证的机会，这些新工艺的验证为公司PrimoTSV300E刻蚀设备拓展了新的市场。

　　在追求更高性能的同时，根据国内对成熟制程和新兴特殊器件的工艺需求，公司开发了PrimoMetaA刻蚀设备，并在实验室搭建了Apha机台，开始和客户合作开发铝线刻蚀工艺。

　　此外，报告期内，公司根据技术发展需求，有序推进更多先进ICP刻蚀技术研发，为推出下一代ICP刻蚀设备做技术储备，以满足新一代的逻辑、DRAM和3DNAND存储等芯片制造对ICP刻蚀的需求。

　　报告期内，公司用于蓝光照明的PRISMOA7、用于深紫外LED的PRISMOHiT3、用于Mini-LED显示的PRISMOUniMax等产品持续服务客户。截止2023年，公司持续保持国际氮化镓基MOCVD设备市场领先地位。其中PRISMOUniMax产品自2021年6月正式发布以来，凭借其高产量、高波长均匀性、高良率等优点，受到下游客户的广泛认可，在Mini-LED显示外延片生产设备领域处于国际领先。

　　公司于2022年推出了用于氮化镓功率器件生产的MOCVD设备PRISMOPD5，已付运至国内外领先客户，并取得了重复订单。

　　同时，公司也紧跟市场发展趋势，布局行业前沿，针对Micro-LED应用的专用MOCVD设备开发顺利，实验室初步结果实现了优良的波长均匀性能，并于报告期内付运样机至国内领先客户开展生产验证。

　　此外，随着电动汽车、光伏储能、轨道交通等应用的快速发展，市场对碳化硅功率器件的需求呈现爆发式增长，公司也启动了应用于碳化硅功率器件外延生产设备的开发，报告期内公司取得较大的技术进展，实现了优良的工艺结果，正与多家领先客户开展商务洽谈，预计2024年第一季度将开展客户端生产验证。

　　报告期内，公司新开发出4款薄膜沉积产品。公司首台CVD钨设备付运到关键存储客户端验证评估，已通过客户现场验证，满足金属互联钨制程各项性能指标，并获得客户重复量产订单。公司在CVDW设备基础上，进一步开发出新型号HAR（高深宽比）W钨设备及ALDW钨设备，这两项设备均为高端存储器件的关键设备，目前已通过客户现场验证，满足存储器件中的高深宽比金属互联应用中各项性能指标。中微公司钨系列薄膜沉积产品可覆盖存储器件所有钨应用，并已全部通过客户现场验证。同时公司已完成多家逻辑和存储客户对CVD/HAR/ALDW钨设备的验证，并取得了客户订单，为进一步积累市场优势打下基础。

　　同期，公司开发的应用于高端存储和逻辑器件的ALD氮化钛设备也在稳步推进，实验室测试结果显示，设备的薄膜均一性和产能均表现出世界领先水平。在现有的金属CVD和ALD设备研发基础上，公司已规划多款CVD和ALD设备，增加薄膜设备的覆盖率，进一步拓展市场。

　　公司的薄膜沉积设备采用独特的双腔设计，每个腔体可独立进行工艺调节，保证产品性能的同时，大大提高了产能，降低了材料成本。此外，中微独立自主的IP设计，确保了更优化的产品性能，也保障了产品未来的可持续发展。

　　公司组建的EPI设备研发团队，通过基础研究和采纳关键客户的技术反馈，已经设计并制造出具有自主知识产权及创新的预处理和外延反应腔。目前公司EPI设备已进入工艺验证和客户验证阶段，以满足客户先进制程中锗硅外延生长工艺的电性和可靠性需求。

　　子公司中微惠创利用分子筛的吸附原。