系统，对MOS组的要求特别高，DrMOS已经不能满足设计参数要求，此时将DrMOS再次分拆开来，将驱动部分独立成为

　　在SMPS中，如图8-1所示，（Low Voltage Gate Drivers）低压栅极驱动器（半桥栅极驱动器）即是2部分。而在电机驱动中，两个半桥栅极驱动器就可以组成一个H桥驱动器，控制电机的转速和方向，在ACDC/DC-AC中，还充当整流器和逆变器，例如无线充电链路。每一个功率器件都需要一个驱动器（驱动芯片）

　　图8-1中是以PWM三态模式驱动，还有另外一种两态模式驱动，本节先介绍PWM模式，下节介绍HL两态模式。

　　图8-2是一个和搭配使用的半桥栅极驱动器IC内部结构图，其中VCC是独立供电引脚，BOOT和PHASE用于自举设置（BST），PWM来自于数字电源的PWM输入，输入信号PWM参考SGND引脚，TG/BG（UG/LG）状态由该引脚处的电压决定。驱动器内部实现了一个，如果该引脚是浮动的，内部电阻分压器会触发高Z模式，在该模式下BG和TG都关闭，Layout时该引脚上的寄生电容应最小化。

　　栅极驱动器接收以地为基准的低电压数字PWM信号，以驱动半桥配置中的两个N沟道功率MOSFET。低侧MOSFET的栅极被驱动为高或低，在BGVCC和BGRTN之间摆动，这取决于PWM引脚的状态。类似地，高侧MOSFET的栅极与低侧MOSFET互补地被驱动，在BST和SW之间摆动。低侧驱动器和高侧驱动器都是浮栅驱动器，独特的双浮动结构使栅极驱动器输出稳健，对地噪声不太敏感，对称设计允许半桥输出是输入逻辑的反相或非反相。

　　对于具有固定转换阈值的三态PWM输入，驱动器的转换阈值和三种输入状态之间的关系如图8-5所示。当PWM上的电压大于阈值VIH（TG）时，TG被上拉到BST，使高侧MOSFET导通，该MOSFET将保持导通，直到PWM降至VIL（TG）以下。类似地，当PWM小于VIH（BG）时，BG被上拉到BGVCC，使低侧MOSFET导通，BG将保持高电平，直到PWM增加到阈值VIL（BG）以上。

　　驱动器还能够将两个外部MOSFET驱动到断开状态，当PWM信号电平进入关闭窗口或三态（通常在1.2V和2V之间）时，在关闭保持时间到期后，两个MOSFET都会关闭。当想要减少活动相（多相架构）的数量以降低功耗时，此功能非常有用。原则上，三态也可以用于在重负载和轻负载转换期间提高性能。

　　图8-6是驱动器的时序图，其中自适应交叉导通保护基于MOSFET在关断期间的栅极到源极电压，当PWM信号变低时，高侧MOSFET将开始关断，一旦高侧MOSFET的VGS放电到1V以下，低侧MOSFET就会开始导通。当PWM信号变高时，低侧MOSFET将开始关断，一旦低侧MOSFET的VGS在1V以下放电，高侧MOSFET就会开始导通。为了避免高侧MOSFET和低侧MOSFET之间的交叉导通，驱动器内部采用了自适应反击穿控制方案，这种自适应方案允许将各种不同的功率MOSFET用于不同类型的功率转换，但是为了最大限度地提高整体解决方案的效率，死区时间保持得尽可能短。

　　对应的VIH和VIL电平之间的滞后消除了由于开关转换期间的噪声而引起的错误触发，但是应注意防止噪声耦合到PWM引脚，特别是在高频、高电压应用中。

　　由于功率MOSFET通常占转换器率损耗的大部分，因此具备快速导通和关断特性的功率MOSFET非常重要，从而最大限度地减少转换时间和功率损耗。如图8-7所示，驱动器的典型1.5Ω上拉电阻和0.8Ω下拉电阻相当于10V驱动器电源下的3A峰值上拉电流和6A峰值下拉电流。BG和TG都可以驱动MOSFET的快速导通转变，具有以18ns上升时间驱动3.3nF负载的能力，所以一定要关注所选MOS的寄生电容和Layout电容。

　　当VCC引脚电压超过VCC上升电压阈值（VUVLO_R）时，驱动器开始根据PWM状态进行操作。在VCC引脚电压达到VCC上升阈值之前，两个MOSFET都保持在断开状态。对于VCC，建议其上升沿的斜率高于上升UVLO阈值附近的5V/100ms。当PWM信号执行从低状态到高状态的转换（PWM电压高于2.5V典型值）时，在关断传播延迟时间之后，低侧MOSFET关断，接下来在导通传播延迟时间之后，高侧MOSFET导通。一旦接通时间到期，PWM信号从高状态转换到到低状态（PWM电压低于0.8V典型值），这将在关断传播延迟时间之后将高侧MOSFET从导通状态驱动到截止状态。

　　高侧MOSFET通过自举电路供电，有的内部带自举电源，有的驱动器嵌入自举二极管，因此要完成Boot网络，只需要在PHASE引脚和BOOT引脚之间添加电容。在许多情况下，驱动器经过优化已具备最佳的开关动作，因此不需要外部电阻（串联栅极驱动电阻）。根据高侧MOSFET栅极电荷来选择自举电容，以下公式给出了由于高侧MOSFET的充电而引起的自举电容两端的电压降的准确估算：

　　ΔVBoot是自举电压的浮动值，这通常应尽可能低，以避免高侧MOSFET的Rdson下降，一般0.1V和0.01V之间的值是可以接受的。

　　低侧MOSFET驱动器通过VCC引脚供电，自举电容的相同考虑因素和公式可以应用于对VCC引脚进行滤波的电容。部分驱动器还支持将驱动电压从4.5V调整到8V，这样的灵活性使设计者能够以任何所需的方式塑造效率曲线.注意点

　　驱动器输出上的强下拉防止了交叉传导电流，例如在图8-7所示的半桥配置中，当BG关闭低侧功率MOSFET，TG打开高侧功率MOSFET时，SW引脚上的电压可能会非常迅速地上升到VIN，该高频正瞬态电压将通过低侧功率MOSFET的CGD电容耦合到BG引脚。如果BG引脚没有被充分压低，BG引脚上的电压可能会上升到低侧功率MOSFET的阈值电压

　　具有正和负电源的IGBT。总体而言，宽VDD范围使您可以在极端条件下灵活地进行系统设计，提供高可靠性。

　　是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为集电极

　　对开关损耗更能起到积极作用。例如，ADuM4135可以提供高达4A的电流。取决于不同的IGBT，这可

　　电容，在导通之前要先对该电容充电，当电容电压超过阈值电压（VGS-TH）时MOSFET才开始导通。